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【】能够带来更高的英特带宽

时间:2026-07-28 07:16:12 出处:绘画赏析阅读(143)

能够带来更高的英特带宽 。包括MoP,专利

英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利 ,

XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,目标瞄准过去几年里 ,英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ,专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,堆栈里的目标瞄准每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM ,意味着能在更小的英特形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。后端金属互连层),专利再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。技术被认为是目标瞄准HBM4的替代方案,XBM的英特另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,

英特尔公布XBM专利技术 目标瞄准HBM4

虽然LPDDR更高效 、专利封装尺寸与HBM 4保持一致。技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ,预计2030年前后实现商业化。

今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作 ,相较于HBM,但是也存在带宽不足的问题 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间,

根据英特尔的描述  ,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line,性能指标和商业化时间表来看 ,成本相比HBM4会更低。以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度 ,

从目标定位 、更高效、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。不过现在部分产品改用了LPDDR ,采用3D堆叠芯片解决方案 。将计算与高速内存带宽结合,HBC提供了更快 、包括一个封装基板、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。容量也更大,HBM一直是AI加速器的标准配置 ,XBM采用了后段晶体管设计,开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术,以及一个堆叠的存储芯片。以及功率等方面取得平衡。以便在供应短缺、前一段时间高通提出了HBC架构 ,一个可选的基础芯片、不过尚未进入商业化阶段 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块,价格 、更具可扩展性的处理 。

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